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传全球DRAM厂的20纳米制程严重减产
时间:2015-3-15    浏览次数:2979
    2015 年全球 DRAM 大厂的 20 纳米战火正旺,除了早已转进 20 纳米制程的三星,担忧落后的 SK 海力士与华亚科也积极投入,两厂都预计于今年开始量产,台 DRAM 厂南亚科上周也宣告加入这场竞局。然而,DRAM 厂制程微缩争相转进 20 纳米,也让产能严重减损的消息不胫而走,即有台媒报导目前 DRAM 产出出现停滞现象。
最先转进 20 纳米制程的三星,已正式产出 LPDDR 4 DRAM,美光旗下的华亚科预计在 2015 年第二季导入 20 纳米量产,据悉,同样原订第二季导入 20 纳米量产的 SK 海力士,因为开发不顺利,可能延至第三季量产,南亚科日前也决定加入这场战局,DRAM 大厂的 20 纳米竞赛逐渐白热化。
为何 DRAM 厂积极转进 20 纳米市场,也许可从 Mobile DRAM 应用趋势一窥端倪,Mobile DRAM 为 DRAM 最大应用别,目前 iPhone 6 与三星所发布高端旗舰机种相继开始采用 LPDDR4 ,LPDDR4 被视为未来 Mobile DRAM 的主流,华亚科董事长兼南亚科总经理高启全即预估,2018 年后所有移动设备都会改用 LPDDR4,若要有成本竞争力,势必要用 20 纳米投片。
也因此即便外传南亚科就 20 纳米与东芝、SanDisk、Google 等在 20 纳米谈策略投资都相继破局下,南亚科也要投入这场战局,上周 12 日董事会通过投资 400 亿元、并继续寻求策略投资人入股,宣告投入 20 纳米制程的竞逐。

制程竞逐下产能的减损
在厂商制程微缩,纷纷抢进 20 纳米的情况下,据 DigiTimes 报导引述半导体业者说法,产能也开始吃紧,DigiTimes 认为,由于先进制程复杂度提高,机台设备需求大增,旧工厂在空间不足亦无法增添新设备下,相同的无尘室空间,生产的数量却减少,使得 DRAM 厂虽为扩产,产出却出现停滞,估计减损的产能约在 2~ 3 成。
调研机构 DRAMeXchange 则表示,三星旧工厂产能的减损,与 Line17 新工厂的增产两者相互抵销,2015 年投片量将与 2014 年大致相同;而 SK 海力士厂房空间大,可移入更多机台维持一样的投片量增加产出,抵销耗损,并不会因转进 20 纳米而有所减少;华亚科则受限于厂房有限,投片量会减少,但受益于制程微缩下,晶圆切割成单一芯片(die)颗粒数(Gross Dies )增加,只要良率达到 50%,即可以平衡耗损;南亚科为避免产能减损,则宣布在今年盖新的无尘室,让产能维持在 6 万片不变。
从厂商厂房扩产情况、晶圆切割原理来看,“产量耗损严重”的说法似乎太过言重。


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