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传东芝年内量产3D Flash、技术更胜三星
时间:2015-3-25    浏览次数:3039
三星电子领先全球同业、于去年10月抢先量产3D架构的NAND型闪存产品,但三星的领先优势恐维持不了多久,因为三星NAND Flash最大竞争对手东芝传出将在今年下半年量产3D NAND Flash、且其制造技术更胜三星一筹!


日本媒体产经新闻25日报导,三星于去年量产的3D NAND Flash产品为垂直堆栈32层,但东芝已研发出超越三星的制造技术、可堆栈48层,且东芝计划于今年下半年透过旗下四日市工厂开始量产上述48层架构的3D NAND Flash产品。NAND flash多用于智能机、平板等行动装置,电源关闭后,储存内容也不会消失。


报导指出,东芝所将量产的3D NAND Flash产品记忆容量较现行产品呈现大幅度提高、且也将超越三星的产品。据报导,三星于去年量产的3D NAND Flash产品传出不良率偏高、且获利不佳,而东芝虽面临同样的问题,但因已确立了生产技术、故已决定进行样品出货。


据报导,东芝和三星皆计划于数年内研发出容量达1Tb(Tera bit;1Tb=1,000Gb)的3D NAND Flash产品,而一旦实现,就可在智能手机储存高达数十小时的4K影片。


根据市调机构TrendForce公布的数据显示,2014年第四季三星NAND Flash全球市占率为27.9%、稳居首位,其次分别为东芝的21.9%、SanDisk的18.2%、美光的13.7%以及SK Hynix的11.4%。


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